Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (1)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Басу Р$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 2
Представлено документи з 1 до 2
1.

Басу Р. 
Розробка термоелектричних пристроїв на основі PbTe n-типу / TAGS-85 ((AgSbTe2)0.15(GeTe)0.85) р-типу й сплаву Si-Ge n/p-типу [Електронний ресурс] / Р. Басу, С. Бхаттачарія, Р. Бхатт, К. Н. Мешрам, А. Сингх, Д. К. Асваль, С. К. Гупта // Термоелектрика. - 2012. - № 3. - С. 32-38. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TE_2012_3_6
Розглянуто синтез високоякісних однофазних термоелектричних матеріалів (таких як PbTe n-типу / TAGS-85 ((AgSbTe2)0,15(GeTe)0,85) p-типу й сплав Si - Ge) і питання, пов'язані з виготовленням з них термоелектричних пристроїв. У пристроях на основі PbTe n-типу / TAGS-85 p-типу внесок контактного опору в загальний опір пристрою складає усього 3,0 %. Пристрій складається з однієї p-n вітки (діаметр кожного елемента 7,5 мм), що генерує вихідну потужність 0,61 Вт (за робочого струму ~ 17 A) за температури гарячої сторони <$E T sub h~=~500~symbol Р>C і різниці температур <$E DELTA T~=~410~symbol Р>C. ККД одержаних пристроїв становив 6 %. Для пристроїв на основі Si - Ge внесок контактного опору в загальний опір пристрою становить близько 50 %. Пристрій на основі Si - Ge з однієї p-n вітки, який працює за температури гарячої сторони 900 <$E symbol Р>C (з різницею температур 600 <$E symbol Р>C), демонструє вихідну потужність 0,49 Вт. Низький ккд перетворення пристрою ~ 1,2 % пояснюється високим контактним опором.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.017 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Басу Р. 
Разработка термоэлектрических устройств на основе PbTe n-типа / TAGS-85 ((AgSbTe2)0.15(GeTe)0.85) р-типа и сплава Si-Ge n/p-типа [Електронний ресурс] / Р. Басу, С. Бхаттачария, Р. Бхатт, К. Н. Мешрам, А. Сингх, Д. К. Асваль, С. К. Гупта // Термоэлектричество. - 2012. - № 3. - С. 34-41. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ter_2012_3_6
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.205 Mb    Зміст випуску     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського